FF650R17IE4PBOSA1
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 650А
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
650 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ПраймПАК™2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,45 В при 15 В, 650 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1700 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Инфинеон Технологии
Операционная температура:
-40°C ~ 150°C
Ток - предел коллектора (макс.):
5 мам
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
54 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 Независимая
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФФ650Р17
Введение
Модуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый 1700 V 650 A Модуль установки шасси
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: