АПТГТ75ТДУ120ПГ
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 100А 350Вт SP6P
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SP6
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
СП6-П
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-
Ток - предел коллектора (макс.):
250 μA
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
350 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
5,34 нФ при 25 В
Конфигурация:
Тройной, двойной - общедоступный источник
Термистор NTC:
- Нет.
Номер базовой продукции:
АПТГТ75
Введение
Тройка диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT, двойная - общедоступный источник 1200 v держатель SP6-P 100 шасси a 350 w
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: