УНР311300Л
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 МА
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
ПНП - предвзятое
Частота - переходный период:
80 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SSSMini3-F1
Резистор - основа (R1):
47 kOhms
Мфр:
Электронные компоненты Panasonic
Резистор - база излучателя (R2):
47 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
100 mW
Пакет / чемодан:
СОТ-723
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Номер базовой продукции:
UNR311
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 80 MHz 100 mW Поверхностная установка SSSMini3-F1
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: