УНР411300А
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 МА
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
ПНП - предвзятое
Частота - переходный период:
80 МГц
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
NS-B1
Резистор - основа (R1):
47 kOhms
Мфр:
Электронные компоненты Panasonic
Резистор - база излучателя (R2):
47 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
300 мВт
Пакет / чемодан:
3-SIP
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Номер базовой продукции:
UNR411
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW через отверстие NS-B1
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: