PTFA043002E V1
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
H-30275-4
Напряжение тока - тест:
32 v
Мфр:
Инфинеон Технологии
Частота:
800 МГц
Прибыль:
16 дБ
Пакет / чемодан:
2-Плоская пачка, с крыльями
Настоящий - тест:
A 1,55
Мощность - выход:
100 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
10µA
Введение
RF Mosfet 32 В 1,55 А 800 МГц 16 дБ 100 Вт H-30275-4
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: