А2Т26Х300-24СР6
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
TRANS RF LDMOS IC
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Конфигурация:
ДВОЙНО
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-1230-4LS2L
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
USA Inc.
Частота:
2.5 ГГц
Прибыль:
14.5dB
Пакет / чемодан:
NI-1230-4LS2L
Настоящий - тест:
800 мА
Мощность - выход:
60 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
A2T26
Введение
RF Mosfet 28 V 800 mA 2,5 ГГц 14,5 дБ 60 Вт NI-1230-4LS2L
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: