УНР5111Г0Л
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
Транс Пребиас ПНП 150 МВт SMINI3
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 МА
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
ПНП - предвзятое
Частота - переходный период:
80 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SMini3-F2
Резистор - основа (R1):
10 kOhms
Мфр:
Электронные компоненты Panasonic
Резистор - база излучателя (R2):
10 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
150 mW
Пакет / чемодан:
SC-85
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10В
Номер базовой продукции:
UNR511
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - Предварительно предвзятый 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Поверхностная установка SMini3-F2
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: