NE3521M04-А
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Описание:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Категория:
Дискретные полупроводниковые устройства
В-запас:
В наличии
Метод оплаты:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Конфигурация:
N-канал
Напряжение - номинальное:
3 В
Пакет:
полоска
Серия:
-
Число шума:
0.85dB
Напряжение тока - тест:
2 v
Мфр:
КЛЭ
Частота:
20GHz
Прибыль:
10.5 дБ
Пакет / чемодан:
4-SMD, плоские провода
Настоящий - тест:
6 мам
Мощность - выход:
-
Технологии:
GaAs HJ-FET
Регулируемый ток (ампер):
15 мА
Введение
RF Mosfet 2 V 6 mA 20 ГГц 10,5 дБ
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: